广州哪里有卖北京单场足球彩票:碳化矽:損耗低、導熱佳,支撐 kV 等級的高壓應用

本文作者:任苙萍       點擊: 2019-04-09 15:35
前言:
 
市調機構Market Study Report 新近發佈一份報告指出:2018 年碳化矽(SiC) 與氮化鎵(GaN) 功率器件市場規模約3.2 億美元,預計2025 年將達到3.08億美元,預測期內的年複合成長率(CAGR) 為32.5%。然而,當人們將SiC 與GaN 相提並論時,除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外,就功率器件而言,現階段在應用取向仍有分野:SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正(PFC)、尤其是上千伏特(V) 的高壓電源產品;而GaN 多用於高功率密度DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體(HEMT) 以及600V 以上的HEMT 混合串聯開關。
 
碳化矽發展較早,相較於矽和砷化鎵(GaAs),碳化矽更適合用於高溫、高功率器件,亦可作為氮化鎵的外延基板。當電子從「價帶」(valence band,指絕對零度中電子最高能量的區域) 移動到「傳導帶」(conduction band,電子經由外在電場加速形成電流)並用於電流時需要能量,寬能隙(WBG) 的能量遠高於矽——相較於矽的1.1eV ( 電子伏特),SiC需要3.2 eV;意味著在相同尺寸下,這些額外能量可帶來更高的電壓擊穿性能,在失效前可承受更高的溫度,蕭特基二極體(SBD)、高功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET) 是主要市場。
 
圖:Si vs. SiC 之耐壓比較

資料來源:羅姆半導體官網;https://www.rohm.com.tw/electronics-basics/sic/sic_what3

電子郵件:[email protected]

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11